جابجایی الکتریکی گالیم آرسنید manufacturer Grasping strong production capability, advanced research strength and excellent service, Shanghai جابجایی الکتریکی گالیم آرسنید supplier create the value and bring values to all of customers.
WhatsApp)
WikiZero Özgür Ansiklopedi Wikipedia Okumanın En Kolay Yolu . گالیم گالیم، 31 Ga گالیم; تلفظ / ˈ ɡ æ l i ə m / (GALeeəm) ظاهر: نقرهwhite
کتاب بانک سؤال مسابقات علوم نهم ازمجموعه مرشد: کتاب مراقبم باش: پول توجیبی و نوجوان
بررسی خواص الکتروفیزیکی واریستورهای ترکیبی تهیّه شده براساس گالیم آرسنید و پلیمر (پلی آنیلین) پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری دانشگاه تبریز دانشکده فیزیک 1391
1گالیم یک فلز نقره ای، شیشه ای، نرم است.در جدول تناوبی نزدیک به غیر فلزات قرار می دهد و خواص فلزی آن به ماننداکثر فلزات دیگر نیست. گالیم جامد شکننده است و یک هادی الکتریکی ضعیف تر از سرب است.
آرسنید گالیم بعنوان نیمه هادی و بیشتر در دیودهای نور افشان (LED ها) مورد استفاده میباشد. تاریخچه . گالیم را ( از واژه لاتین Gallia به معنی "فرانسه" و نیز gallus به معنی رسانائی الکتریکی . 10 6 /m
گالیم با درجه خلوص بالا رنگ نقرهای جذابی داشته و فلز جامد آن مانند شیشه میشکند. فلز گالیم در صورت سخت شدن 3,1 درصد انبساط مییابد، بنابراین نباید آنرا در ظروف شیشهای یا فلزی نگهداری کرد.
بیشتر تحقیقات امروزه در سلولهای چندمنظوره بر روی گالیم آرسنید به عنوان یکی (یا همه) سلولهای مؤلفه متمرکز شده است. چنین سلولهایی در زیر نور خورشید غلیظ به راندمان حدود ۳۵٪ رسیدهاند.
این نسبت برای ژرمانیوم ۱۰ به یک و برای گالیم آرسنید ۲۰ به یک میباشد. جریان پیک در دیود تونلی میتواند بین چند میکروآمپر تا چند صد آمپر متغیر باشد در حالی که ولتاژ دره دو سر دیود از حدود ۰.۶
4 فتودیود هایی که از گالیم آرسنید ایندیم ساخته شده اند، از 800 تا 2600 نانومتر گستره طول موج طیف مغناطیسی دارند. 5 فتودیود های کادمیوم تلویدی و جیوه ای، از 400 تا 14000 نانو متر گستره طول موج طیف
گالیم (به انگلیسی: Gallium) با نماد شیمیایی: Ga عنصری است فلزی با عدد اتمی ۳۱، در گروه ۱۳ و دوره چهارم جدول تناوبی جای دارد. جرم اتمی آن ۶۹٫۷۲، ظرفیت آن ۲ و ۳، دارای ۳۱ ایزوتوپ شناختهشده با عدد جرمی از ۵۶ تا ۸۶ است که دو
دیود ها ، LED ها و سلول های خورشیدی دیودها دستگاه های نیمه هادی هستند که اجازه میدهند جریان فقط در یک جهت گردش پیدا کند []
آرسنید گالیم یک نیمه رسانای مهمی است که در ic ها بکار میرود. مدارهایی که از این ترکیب ساخته شدهاند، نسبت به نوع سیلیکونی بسیار سریعتر هستند ( البته گرانتر هم میباشند ).
خواص مواد گالیم آرسنید که در دماهای کم رشد داده شدهاند ، با استفاده از باریکه پوزیترون بررسی شده و با اندازهگیری پارامتر s به عنوان تابع انرژی پوزیترون ، نحوه توزیع ناهمگونیها و لختههای آرسنیک اضافی در این مواد
شماره پروژه : ۱۲۳ عنوان پروژه: بررسی خودروهای برقی و طراحی و ساخت آنها. تعداد صفحات : ۱۲۵ شرح مختصر پروژه :پروژه ای که در این قسمت از سایت ۲۰میخوام برای دانلود آماده گشته با عنوان بررسی خودروهای برقی و طراحی و ساخت آنها می
در این پژوهش اثر برهم کنش اسپین– مدار راشبا روی طیف انرژی و ضریب پذیرفتاری غیر خطی مرتبه ی دوم فرآیند جمع فرکانسی در یک نقطه ی کوانتومی کروی با پتانسیل محدود کننده ی سهموی در چار چوب جرم موثر مورد بررسی قرار گرفته است.در
کیفیت بالا بستر P نوع ، GaAs (گالیم آرسنید) با EPD کم ، 3 "، درجه اول از چین, پیشرو چین است GaAs ویفر بازار محصول, با کنترل کیفیت دقیق GaAs ویفر کارخانه, تولید با کیفیت بالا بستر P نوع ، GaAs (گالیم آرسنید) با EPD کم ، 3 "، درجه اول محصولات.
گالیم آرسنید یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیکا است. این ماده که نخستین بار در اواخر دههی 1920 میلادی به دست آمد ترکیبی از عنصرهای گروههای 3 و 5 جدول تناوبی عناصر است.
در فتودیودهای از جنس گالیم آرسنید ایندیم، گستره طول موج طیف الکترومغناطیسی در بازه 800 تا 2600 نانو متر است. در فتودیودهای از جنس جیوه و کادمیوم تلوید، گستره طول موج طیف الکترومغناطیسی در بازه 400
آرسنید گالیم بعنوان نیمه هادی و بیشتر در دیودهای نور افشان (led ها) مورد استفاده میباشد. گالیم در دمای اتاق جامد با جلای نقرهای ٬نقطه ذوب 29. 7 نقطه جوش 24. 3 درجه جرم حجمی ۵٫۹ در حدود ۰ درجه
بازار وافر جهانی گالیم آرسنید (GaAs) به سرعت در حال رشد است. عمدتا به دلیل رونق صنعت تلفن همراه و دستگاه های ارتباط بی سیم. با توجه به توسعه فناوری و پیشرفت در فناوری ویفر GaAs که در صنعت الکترونیک مورد استفاده قرار می گیرد
گالیم آرسنید(GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیکاست. این ترکیب یک نیمه هادی بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است.. گالیم آرسنید در تولید دستگاههای مانند مایکروویو ،دیودهای ساطعکننده نور مادون قرمز، دیود های
در دیود لیزر ها غالباً به جای نیمه هادی سیلیکون، از ترکیب آلیاژ آلومینیوم ( aluminum) و گالیم آرسنید (gallium arsenide) یا ایندیوم گالیوم آرسنید فسفرید (indium gallium arsenide phosphide) استفاده میکنند.
کیفیت بالا N Type ، گالیم تک کریستالی SiDoped Gallium Arsenide Wafer، 4 "، کلاس تست از چین, پیشرو چین است GaAs ویفر بازار محصول, با کنترل کیفیت دقیق GaAs ویفر کارخانه, تولید با کیفیت بالا N Type ، گالیم
در سالهای ابتدایی این دهه، led ها با استفاده از گالیم آرسیدید فسفید روی یک بستر گالیم آرسنید ساخته میشدند. استفاده از گالیم فسفید به عنوان بستر، باعث افزایش راندمان LED ها و روشنتر رنگ قرمز
WhatsApp)
Online Chat
Sales Hotline